世界最快SSD:Micron X100(3D XPoint)805GB,100 DWPD

作者:唐僧 huangliang
来源:企业存储技术

早在去年Micron(美光)就透露过X100的新闻,包括下方这块NVMe全高PCIex16 AIC扩展卡照片,以及250万IOPS性能。不过当时并没有说容量和有些细节。

近日我看到这款Intel之外的3D XPoint SSD文档,就给大家简单分享下。

3年100 DWPD与5年60 DWPD哪个好?

“X100”这个命名,看上去来源于其寿命指标——100 DWPD。最初我以为这个数字比IntelDC P4800X/P4801X要高(参见《_[Intel Optane SSD写寿命翻倍:5年60 DWPD](https://aijishu.com/a/1060000…)?》不过仔细研究下,美光的质保是3年,总的写入量其实一样(就像两家商量好了)。Intel的保修期还要多2年。

Micron X100资料里写的容量点只有805G一款,与Intel P4800X的750GB型号较为接近。扩展阅读:《_Intel Optane P4800X评测(序):不用缓存和电容保护的SSD?》。

单线程IOPS如何跑到220W

不过得益于PCIe 3.0 x16接口,Micron X100的顺序读/写带宽高达10GB/s和9GB/s,随机读/写IOPS分别为220万和188万。看上去没有之前宣传的250万IOPS高,是因为测试方法是4KB、QD=1、TH=1,这个是不是用了SDPK之类的用户态I/O呢?否则按照传统的经验,Kernel块设备I/O一个CPU核心单线程应该跑不到这么快。

扩展阅读:《_SPDK实战、QoS延时验证:Intel Optane P4800X评测(5)_》

然后就要说美光这份资料的不专业了。耐久度TBW居然只有82 TBW,实际上应该写82 / day(每天写入82TB)。150万小时MTBF似乎有点低,可能是Micron第一次做3D XPoint SSD写的比较保守吧。

3D XPoint Memory最大的优势,除了写性能和寿命之外,就是延时。Micron X100随机读写延时分别为11µs和8µs,与Intel Optane SSD的10微秒左右基本一致。

功耗与容量无关?

再讨论一点就是功耗,Intel P4800X包括1.5TB在内活动功耗只要18W,而Micron X100顺序读/写最大功耗达到了50W和70W。估计一方面可能因为主控技术,另一点就是并发的通道可能远多于Intel当前Optane SSD的7个。毕竟接口不同,功耗就是X100高性能的代价吧,反正不超过PCIe规范里x16插槽的75W供电。

Fio性能测试参考

上面图表引用自Micron Technical Brief,这个是Fio的测试(平台软硬件信息如下),可以看到如果100%随机读在8线程或以上可以超过250万IOPS,而100%随机写也有200万。

 

参考资料中还有更多性能测试数据:

  • 《AccelerateYour Business With 3D XPoint to Meet Demands of Growing Data》
  • 《MicronX100 NVMe SSD Product Brief》

推荐阅读

  • 方寸间的灵活性设计:被两个M.2 NVMe SSD“挤走”的PCH芯片
  • 关于PCIe SSD几个问题的讨论

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